配网过电压主动干预装置避免单相弧光接地过电压现象

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过电光接（f）h-BN壳层厚度与涂层次数的函数关系图。压主预装（c）氮化处理后Cu@h-BNNWs的HRTEM图像。

（d~f）分别为单个Cu@h-BNNW的Cu（蓝色）、动干地过电压B（红色）和N（黄色）的EDS元素映射图像及其TEM图像。（d）在200℃下加热8小时后的CuNWs、置避CuNWs/PMMA和Cu@h-BNNWs的照片。【成果简介】近日，免单厦门大学蔡端俊教授、免单李森森教授（共同通讯作者）等人报道了六方氮化硼钝化技术并制备出了超稳定的、选择性透明的铜纳米线导体。

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过电光接（c）Si衬底上Cu-NWs的SEM图像。

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